Fabrication of Y-junction Metal Nanowires by AAO Template-assisted AC Electrodeposition
Corresponding Author: Jianyu Liang
Nano-Micro Letters,
Vol. 2 No. 4 (2010), Article Number: 290-295
Abstract
In this communication, we report a synthetic approach to fabricate Y-junction Co nanowires and Y-junction Cu nanowires by AC electrodeposition using a hierarchically designed anodized aluminum oxide template. Morphology study showe that diameters of the stems and branches of the Y-junction nanowires were about 40 nm and 20 nm respectively. Structural analysis indicates that Co nanowires had a mixture of face-center-cubic and hexagonal-close-packed structures, whereas Cu nanowires had a face-center-cubic structure with a <110> texture. The Y-junction Co nanowires exhibited a longitudinal coercivity of 1300 Oe and remnant magnetization of 56%, which was affected by the growth direction and microstructure. The present method can be extended to other metallic systems and thus provides a simple and efficient way to fabricate Y-junction metal nanowires.
Keywords
Download Citation
Endnote/Zotero/Mendeley (RIS)BibTeX
- J. Wang, L. Y. Zhang, P. Liu, T. M. Lan, J. Zhang, L. M. Wei, E. S. Kong, C. H. Jiang and Y. F. Zhang, Nano-Micro Lett. 2, 134–138 (2010). doi:10.5101/nml.v2i2.p134-138
- H. Masuda, F. Hasegwa and S. Ono, J. Electrochem. Soc. 144, L127 (1997). doi:10.1149/1.1837634
- A. P. Li, F. Muller, A. Birner, K. Nielsch and U. Gosele, J. Appl. Phys. 84, 6023 (1998). doi:10.1063/1.368911
- O. Jessensky, F. Muller and U. Gosele, Appl. Phys. Lett. 72, 1173 (1998). doi:10.1063/1.121004
- T. M. Whitney, J. S. Jiang, P. C. Searson and C. L. Chien, Science 261, 1316 (1993). doi:10.1126/science.261.5126.1316
- A. J. Yin, J. Li, W. Jian, A. J. Bennett and J. M. Xu, Appl. Phys. Lett. 79, 1039 (2001). doi:10.1063/1.1389765
- X. Y. Zhang, G. H. Wen, Y. F. Chan, R. K. Zheng, X. X. Zhang and N. Wang, Appl. Phys. Lett. 83, 3341 (2003). doi:10.1063/1.1621459
- N. J. Gerein and J. A. Haber, J. Phys. Chem. B 109, 17372 (2005). doi:10.1021/jp051320d
- R. L. Wang, S. L. Tang, B. Nie, X. L. Fei, Y. G. Shi and Y. W. Du, Solid State Comm. 142, 639 (2007). doi:10.1016/j.ssc.2007.04.014
- G. A. Gelves, B. Lin, U. Sundararaj and J. A. Haber, Adv. Funct. Mater. 16, 2423 (2006). doi:10.1002/ adfm.200600336
- G. A. Gelves, Z. T. Murakami, M. M. J. Krantz and J. A. Haber, J. Mater. Chem. 16, 3075 (2006). doi:10.1039/b603442j
- J. Li, C. Papadopoulos and J. Xu, Nature 402, 253 (1999). doi:10.1038/46214
- G. Meng, Y. J. Jung, A. Cao, R. Vajtai and P. M. Ajayan, Proc. Natl. Acad. Sci. 102, 7074 (2005). doi:10.1073/pnas.0502098102
- T. Gao, G. Meng, J. Zhang, S. Sun and L. Zhang, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 74, 403 (2002). doi:10.1007/s003390101136
- J. Choi, G. Sauer, K. Nielsch, R. B. Wehrspohn and U. Gosele, Chem. Mater. 15, 776 (2003). doi:10.1007/s003390101136
- Y. Tian, G. Meng, S. K. Biswas, P. M. Ajayan, S. Sun and L. Zhang, Appl. Phys. Lett. 85, 967 (2004). doi:10.1063/1.1779956
- S. Mahima, R. Kannan, I. Komath, M. Aslam and V.K. Pillai, Chem. Mater. 20, 601 (2008). doi:10.1021/ cm702102b
- D. Li, C. Jiang, J. Jiang and J. G. Lu, Chem. Mater. 21, doi:10.1021/cm8022242
- B. Chen, Q. Xu, X. Zhao, X. Zhu, M. Kong and G. Meng, Adv. Funct. Mater. 20, 3791 (2010). doi:10.1002/ adfm.201001190
- J. Zhang, C. S. Day and D. L. Carroll, Chem. Comm. 45, doi:10.1039/b913917f
- J. Liang, H. Chik, A. Yin and J. M. Xu, J. Appl. Phys. 91, 2544 (2002). doi:10.1063/1.1433173
- J. Liang, H. Chik and J. M. Xu, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 8, 998 (2002). doi:10.1109/JSTQE.2002.804238
- J. Li, C. Papadopoulos, J. M. Xu and M. Moskovits, Appl. Phys. Lett. 75, 367 (1999). doi:10.1063/1.124377
- http://rsbweb.nih.gov/ij/
- F. Li, T. Wang, L. Ren and J. Sun, J. Phys.: Condens. Matter. 16, 8053 (2004). doi:10.1088/0953-8984/16/45/027
- G. Tourillon, L. Pontonnier, J. P. Levy and V. Langlais, Electrochem. Solid-State Lett. 3, 20 (2000). doi:10.1149/1.1390946
- G. J. Strijkers, J. H. J. Dalderop, M. A. A. Broeksteeg, H. J. M. Swagten and W. J. M. de Jonge, J. Appl. Phys. 86, 5141 (1999). doi:10.1063/1.371490
- N. R. Pradhan, H. Duan, J. Liang and G. S. Iannacchione, Nanotech. 19, 485712 (2008). doi:10.1088/0957-4484/19/48/485712
- H. Pan, H. Sun, C. Poh, Y. Feng and J. Lin, Nanotech. 16, 1559 (2005). doi:10.1088/0957-4484/16/9/025
- M. Tian, J. Wang, J. Kurtz, T. E. Mallouk and M. H. Chan, Nano Lett. 3, 919 (2003). doi:10.1021/nl034217d
- J. Zhang, G. A. Jones, T. H. Shen, S. E. Donnely and G. Li, J. Appl. Phys. 101, 054310 (2007). doi:10.1063/1.2464193
- X. W. Wang, Fei, P. Tong, X. J. Xu and L. D. Zhang, J. Crystal Growth 300, 421 (2007). doi:10.1016/j.jcrysgro.2006.12.039
- J. A. Switzer, H. M. Kothari and E. W. Bohannan, J. Phys. Chem. B 106, 4027 (2002). doi:10.1021/jp014638o
- H. Pan, B. Liu, J. Yi, C. Poh, S. Lim, J. Ding, Y. Feng, C. H. A. Huan and J. Lin, J. Phys. Chem. B 109, 3094 (2005). doi:10.1021/jp0451997
- M. Darques, A. Encinas, L. Vila and L. Piraux, J. Phys. D: Appl. Phys. 37, 1411 (2004). doi:10.1088/0022-3727/37/10/001
- Z. Liu, P. C. Chang, C. C. Chang, E. Galaktionov, G. Bergmann and J. G. Lu, Adv. Funct. Mater. 18, 1573 (2008). doi:10.1002/adfm.200701010
- N. J. Gerein and J. A. Haber, J. Phys. Chem. B 109, 17372 (2005). doi:10.1021/jp051320d
References
J. Wang, L. Y. Zhang, P. Liu, T. M. Lan, J. Zhang, L. M. Wei, E. S. Kong, C. H. Jiang and Y. F. Zhang, Nano-Micro Lett. 2, 134–138 (2010). doi:10.5101/nml.v2i2.p134-138
H. Masuda, F. Hasegwa and S. Ono, J. Electrochem. Soc. 144, L127 (1997). doi:10.1149/1.1837634
A. P. Li, F. Muller, A. Birner, K. Nielsch and U. Gosele, J. Appl. Phys. 84, 6023 (1998). doi:10.1063/1.368911
O. Jessensky, F. Muller and U. Gosele, Appl. Phys. Lett. 72, 1173 (1998). doi:10.1063/1.121004
T. M. Whitney, J. S. Jiang, P. C. Searson and C. L. Chien, Science 261, 1316 (1993). doi:10.1126/science.261.5126.1316
A. J. Yin, J. Li, W. Jian, A. J. Bennett and J. M. Xu, Appl. Phys. Lett. 79, 1039 (2001). doi:10.1063/1.1389765
X. Y. Zhang, G. H. Wen, Y. F. Chan, R. K. Zheng, X. X. Zhang and N. Wang, Appl. Phys. Lett. 83, 3341 (2003). doi:10.1063/1.1621459
N. J. Gerein and J. A. Haber, J. Phys. Chem. B 109, 17372 (2005). doi:10.1021/jp051320d
R. L. Wang, S. L. Tang, B. Nie, X. L. Fei, Y. G. Shi and Y. W. Du, Solid State Comm. 142, 639 (2007). doi:10.1016/j.ssc.2007.04.014
G. A. Gelves, B. Lin, U. Sundararaj and J. A. Haber, Adv. Funct. Mater. 16, 2423 (2006). doi:10.1002/ adfm.200600336
G. A. Gelves, Z. T. Murakami, M. M. J. Krantz and J. A. Haber, J. Mater. Chem. 16, 3075 (2006). doi:10.1039/b603442j
J. Li, C. Papadopoulos and J. Xu, Nature 402, 253 (1999). doi:10.1038/46214
G. Meng, Y. J. Jung, A. Cao, R. Vajtai and P. M. Ajayan, Proc. Natl. Acad. Sci. 102, 7074 (2005). doi:10.1073/pnas.0502098102
T. Gao, G. Meng, J. Zhang, S. Sun and L. Zhang, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 74, 403 (2002). doi:10.1007/s003390101136
J. Choi, G. Sauer, K. Nielsch, R. B. Wehrspohn and U. Gosele, Chem. Mater. 15, 776 (2003). doi:10.1007/s003390101136
Y. Tian, G. Meng, S. K. Biswas, P. M. Ajayan, S. Sun and L. Zhang, Appl. Phys. Lett. 85, 967 (2004). doi:10.1063/1.1779956
S. Mahima, R. Kannan, I. Komath, M. Aslam and V.K. Pillai, Chem. Mater. 20, 601 (2008). doi:10.1021/ cm702102b
D. Li, C. Jiang, J. Jiang and J. G. Lu, Chem. Mater. 21, doi:10.1021/cm8022242
B. Chen, Q. Xu, X. Zhao, X. Zhu, M. Kong and G. Meng, Adv. Funct. Mater. 20, 3791 (2010). doi:10.1002/ adfm.201001190
J. Zhang, C. S. Day and D. L. Carroll, Chem. Comm. 45, doi:10.1039/b913917f
J. Liang, H. Chik, A. Yin and J. M. Xu, J. Appl. Phys. 91, 2544 (2002). doi:10.1063/1.1433173
J. Liang, H. Chik and J. M. Xu, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 8, 998 (2002). doi:10.1109/JSTQE.2002.804238
J. Li, C. Papadopoulos, J. M. Xu and M. Moskovits, Appl. Phys. Lett. 75, 367 (1999). doi:10.1063/1.124377
F. Li, T. Wang, L. Ren and J. Sun, J. Phys.: Condens. Matter. 16, 8053 (2004). doi:10.1088/0953-8984/16/45/027
G. Tourillon, L. Pontonnier, J. P. Levy and V. Langlais, Electrochem. Solid-State Lett. 3, 20 (2000). doi:10.1149/1.1390946
G. J. Strijkers, J. H. J. Dalderop, M. A. A. Broeksteeg, H. J. M. Swagten and W. J. M. de Jonge, J. Appl. Phys. 86, 5141 (1999). doi:10.1063/1.371490
N. R. Pradhan, H. Duan, J. Liang and G. S. Iannacchione, Nanotech. 19, 485712 (2008). doi:10.1088/0957-4484/19/48/485712
H. Pan, H. Sun, C. Poh, Y. Feng and J. Lin, Nanotech. 16, 1559 (2005). doi:10.1088/0957-4484/16/9/025
M. Tian, J. Wang, J. Kurtz, T. E. Mallouk and M. H. Chan, Nano Lett. 3, 919 (2003). doi:10.1021/nl034217d
J. Zhang, G. A. Jones, T. H. Shen, S. E. Donnely and G. Li, J. Appl. Phys. 101, 054310 (2007). doi:10.1063/1.2464193
X. W. Wang, Fei, P. Tong, X. J. Xu and L. D. Zhang, J. Crystal Growth 300, 421 (2007). doi:10.1016/j.jcrysgro.2006.12.039
J. A. Switzer, H. M. Kothari and E. W. Bohannan, J. Phys. Chem. B 106, 4027 (2002). doi:10.1021/jp014638o
H. Pan, B. Liu, J. Yi, C. Poh, S. Lim, J. Ding, Y. Feng, C. H. A. Huan and J. Lin, J. Phys. Chem. B 109, 3094 (2005). doi:10.1021/jp0451997
M. Darques, A. Encinas, L. Vila and L. Piraux, J. Phys. D: Appl. Phys. 37, 1411 (2004). doi:10.1088/0022-3727/37/10/001
Z. Liu, P. C. Chang, C. C. Chang, E. Galaktionov, G. Bergmann and J. G. Lu, Adv. Funct. Mater. 18, 1573 (2008). doi:10.1002/adfm.200701010
N. J. Gerein and J. A. Haber, J. Phys. Chem. B 109, 17372 (2005). doi:10.1021/jp051320d